wowo 2007-11-13 14:13
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40年来最强 英特尔发布45nm处理器
英特尔在今年春季IDF上就大肆宣传的45nm处理器，终于在昨天（11月11日）正式发布，首批亮相的为采用45nm工艺Penryn核心中央处理器，其中包括一款顶级桌面处理器和15款服务器处理器。
CCHLord 2007-11-13 15:30
版主和主版同义嘛
楼主自己改标题吧
英特尔(Intel)上周首度披露了其45奈米制程技术细节，新制程将采用high-k材料制作电晶体闸极电介质，另外，电晶体闸极电极也将采用全新的金属材料组合来制作。英特尔逻辑技术开发部资深研究院士Mark Bohr称，这种high-k＋金属闸的组合“是自1960年代多晶矽闸MOS电晶体问世以来，电晶体技术的最大变革，可确保摩尔定律再延续到未来10年。”
代号“P1266”的45奈米制程预计今年下半年首度量产，据Bohr透露，新技术较前一代制程提升了近2倍的电晶体数量，开关功耗减小了30%；电晶体开关速度提升了20%，并减小5倍的源极-汲极漏电流，以改善电晶体耗电量。此外，新制程也减小了约10倍的闸极氧化层漏电流。
降低耗电量一直是迈入深次微米制程后晶片设计及制造的主要挑战。在电晶体微缩过程中，当电晶体缩小到如原子般大小时，就会大幅增加耗电量与热问题。
过去40年来，可持续减少厚度并改善电晶体效能的二氧化矽一直被于制作闸极电介质，然而，二氧化矽却在65奈米之后遇到了瓶颈。英特尔表示，其65奈米制程已将二氧化矽闸极电介质厚度降低到1.2奈米(相当于5层原子)，但持续减少厚度却导致了闸极电介质漏电增加，因此，该公司采用基于铪(hafnium)的较厚high-k材料取代二氧化矽作为闸极电介质，将漏电量降低了10倍以上。
不过，英特尔也将在45奈米的内部互连管线上采用铜线与low-k电介质的搭配，以提升效能并降低耗电量。另外，英特尔也采用了新的设计规则与光罩技术，在45奈米制程中延用193奈米干式微影技术，以提高成本优势与易制性。
“若没有采用high-k＋金属闸，就无法实现这些效能改善，”Bohr说。由于倍增了电晶体数量，因此在首批Penryn处理器系列中，双核心处理器内含电晶体数量达4亿个，而四核心处理器则超过8亿个。另外，英特尔也为新处理器配置了12MB的快取记忆体，以及50种全新Intel SSE4指令，以扩充多媒体与高效能运算应用性能。
作者：邓荣惠 / 电子工程专辑
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